绝缘栅双极晶体管IGBT的设计要点详细资料说明

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上传日期: 2019-05-20

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标签:晶体管(1566)IGBT(884)半导体(6036)MOSFET(1606)

  作为新型电力半导体器件的重要代表, IGBT被普遍用于工业、信息、新能源、医学、交通、军事和航空领域。跟着半导体资料和加工工艺的赓续提高, IGBT的电流密度、耐压和频率赓续获得晋升。 目前,市场上的 IGBT器件的耐压高达 6500V,单管芯电流高达 200A,频率到达 300kHz。在高频大功率领域,目前还没有任何一个其它器件可以或许或许代替它。本文着重阐发讨论 IGBT器件的设计要点。

  一、 IGBT的基本布局和工作原理

  从图 1 可以或许或许看出, IGBT是一个复合器件,由一个 MOSFET和一个 PNP三极管构成,也可以或许或许把它看成是一个 VDMOS 和一个 PN二极管构成。图 2 是 IGBT的等效电路

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