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详解半导体的光刻工艺全过程

芯论 ? >2019-05-26 11:42 ? 次阅读

光刻工艺是半导体制作中最为重要的工艺步骤之一。重要感化是将掩膜板上的图形复制到硅片上,为下一步停止刻蚀或许离子注入工序做好准备。光刻的本钱约为全体硅片制作工艺的1/3,消耗光阴约占全体硅片工艺的40~60%。

光刻机是临盆线上最贵的机台,5~15百万美元/台。重要是贵在成像体系(由15~20个直 径为200~300mm的透镜构成)和定位体系(定位精度小于10nm)。其折旧速率非常快,大约3~9万国民币/天,所以也称之为印钞机。光刻部分的主 要机台包含两部分:轨道机(Tracker),用于涂胶显影;扫描曝光机(Scanning )

光刻工艺的请求:光刻对象具有高的分辨率;光刻胶具有高的光学敏感性;精确地对准;大尺寸硅片的制作;低的缺点密度。

光刻工艺过程

一样平常的光刻工艺要阅历硅片外面洗濯烘干、涂底、旋涂光刻胶、软烘、对准曝光、后烘、显影、硬烘、刻蚀、检测等工序。

1、硅片洗濯烘干(Cleaning and Pre-Baking)

办法:湿法洗濯+去离子水冲洗+脱水烘焙(热板150~2500C,1~2分钟,氮气掩护)

偏向:a、除去外面的净化物(颗粒、无机物、工艺残余、可动离子);b、除去水蒸气,是基底外面由亲水性变为憎水性,增强外面的黏附性(对光刻胶或许是HMDS-〉六甲基二硅胺烷)。

2、涂底(PriMIng)

办法:a、气相成底膜的热板涂底。HMDS蒸气淀积,200~2500C,30秒钟;优点:涂底均匀、防止颗粒净化;b、旋转涂底。缺点:颗粒净化、涂底不均匀、HMDS用量大。

偏向:使外面具有疏水性,增强基底外面与光刻胶的黏附性。

3、旋转涂胶(SPIn-on PR Coating)

办法:a、静态涂胶(Static)。硅片静止时,滴胶、加快旋转、甩胶、挥发溶剂(原光刻胶的溶剂约占65~85%,旋涂后约占10~20%);

b、静态(Dynamic)。低速旋转(500rpm_rotation per minute)、滴胶、加快旋转(3000rpm)、甩胶、挥发溶剂。

决定光刻胶涂胶厚度的关键参数:光刻胶的黏度(Viscosity),黏度越低,光刻胶的厚度越薄;旋转速率,速率越快,厚度越薄;

影响光刻胶厚度均运性的参数:旋转加快度,加快越快越均匀;与旋转加快的光阴点无关。

一样平常旋涂光刻胶的厚度与曝光的光源波长无关(因为分歧级别的曝光波长对应分歧的光刻胶种类和分辨率):

I-line最厚,约0.7~3μm;KrF的厚度约0.4~0.9μm;ArF的厚度约0.2~0.5μm。

4、软烘(Soft Baking)

办法:真空热板,85~120℃,30~60秒;

偏向:除去溶剂(4~7%);增强黏附性;释放光刻胶膜内的应力;防止光刻胶玷污设备;

边缘光刻胶的去除(EBR,Edge Bead Removal)。光刻胶涂覆后,在硅片边缘的正反两面都邑有光刻胶的堆积。边缘的光刻胶一样平常涂布不均匀,不能获得很好的图形,而且容易发生剥离(Peeling)而影响其它部分的图形。所以必要去除。

办法:a、化学的办法(Chemical EBR)。软烘后,用PGMEA或EGMEA去边溶剂,喷出少量在正反面边缘出,并小心节制不要到达光刻胶有用地区;b、光学办法(Optical EBR)。即硅片边缘曝光(WEE,WAFEr Edge Exposure)。在实现图形的曝光后,用激光曝光硅片边缘,然后在显影或分外溶剂中溶解

5、对准并曝光(Alignment and Exposure)

对准办法:a、预对准,颠末过程硅片上的notch或许flat停止激光主动对准;b、颠末过程对准标志(Align Mark),位于切割槽(Scribe Line)上。另外层间对准,即套刻精度(Overlay),包管图形与硅片上已经存在的图形之间的对准。

曝光中最重要的两个参数是:曝光能量(Energy)和焦距(Focus)。如果能量和焦距调剂不好,就不能获翟勖请求的分辨率和大小的图形。表示为图形的关键尺寸超出请求的规模。

曝光办法:a、接触式曝光(Contact Printing)。掩膜板间接与光刻胶层接触。曝光进去的图形与掩膜板上的图形分辨率相当,设备简略。缺点:光刻胶净化掩膜板;掩膜板的磨损,寿命很低(只能应用5~25次);1970前应用,分辨率〉0.5μm。

b、接近式曝光(Proximity Printing)。掩膜板与光刻胶层的略微分开,大约为10~50μm。可以或许或许防止与光刻胶间接接触而引起的掩膜板损伤。但是同时引入了衍射效应,低落了分辨率。1970后适用,但是其最大分辨式鑫2~4μm。

c、投影式曝光(Projection Printing)。在掩膜板与光刻胶之间应用透镜丛聚光实制光。一样平常掩膜板的尺寸会以必要转移图形的4倍制作。优点:提高了分辨率;掩膜板的制作加倍容易;掩膜板上的缺点影响减小。

投影式曝光分类:扫描投影曝光(Scanning Project Printing)。70年月末~80年月初,〉1μm工艺;掩膜板1:1,全尺寸;

步进重复投影曝光(Stepping-repeating Project Printing或称作Stepper)。80年月末~90年月,0.35μm(I line)~0.25μm(DUV)。掩膜板缩小比例(4:1),曝光地区(Exposure Field)22×22mm(一次曝光所能覆盖的地区)。增长了棱镜体系的制作难度。

扫描步进投影曝光(Scanning-Stepping Project Printing)。90年月末~至今,用于≤0.18μm工艺。采纳6英寸的掩膜板按照4:1的比例曝光,曝光地区(Exposure Field)26×33mm。优点:增大了每次曝光的视。还给硅片外面不平整的补偿;提高全体硅片的尺寸均匀性。但是,同时因为必要反向运动,增长了机 械体系的精度请求。

在曝光过程中,必要对制的参数和可能缺点停止跟踪和节制,会用到检测节制芯片/控片 (Monitor Chip)。根据制的检测节制对象,可以或许或许分为如下几种:a、颗粒控片(Particle MC):用于芯片上微小颗粒的监控,应釉墼勖前其颗粒数应小于10颗;b、卡盘颗粒控片(Chuck Particle MC):测试光刻机上的卡盘平坦度的公用芯片,其平坦度请求非常高;c、焦距控片(Focus MC):作为光刻机监控焦距监控;d、关键尺寸控片(Critical Dimension MC):用于光刻区关键尺寸稳固性的监控;e、光刻胶厚度控片(PhotoResist Thickness MC):光刻胶厚度测量;f、光刻缺点控片(PDM,Photo Defect Monitor):光刻胶缺点监控。

举例:0.18μm的CMOS扫描步进光刻工艺。

光源:KrF氟化氪DUV光源(248nm) ;数值孔径NA:0.6~0.7;焦深DOF:0.7μm

分辨率Resolution:0.18~0.25μm

(一样平常采纳了偏轴照明OAI_Off- Axis Illumination和相移掩膜板技术PSM_Phase Shift Mask增强);

套刻精度Overlay:65nm;产能Throughput:30~60wafers/hour(200mm);视场尺寸Field Size:25×32mm;

6、后烘(PEB,Post Exposure Baking)

办法:热板,110~1300C,1分钟。

偏向:a、削减驻波效应;b、引发化学增强光刻胶的PAG发生的酸与光刻胶上的掩护基团发生反应并移除基团使之能溶解于显影液。

7、显影(Development)

办法:a、整盒硅片浸没式显影(Batch Development)。缺点:显影液消耗很大;显影的均匀性差;

b、连续喷雾显影(Continuous Spray Development)/主动旋转显影(Auto-rotation Development)。一个或多个喷嘴喷洒显影液在硅片外面,同时硅片低速旋转(100~500rpm)。喷嘴喷雾情势和硅片旋转速率是实现硅片间溶 解率和均匀性的可重复性的关键调节参数。

c、水坑(旋覆浸没)式显影(Puddle Development)。喷覆足够(不能太多,最小化背面湿度)的显影液到硅片外面,并构成水坑形状(显影液的运动坚持较低,以削减边缘显影速率的变 化)。硅片固定或慢慢旋转。一样平常采纳屡次旋覆显影液:第一次涂覆、坚持10~30秒、去除;第二次涂覆、坚持、去除。然后用去离子水冲洗(去除硅片两面的 统统化学品)并旋转甩干。优点:显影液用量少;硅片显影均匀;最小化了温度梯度。

显影液:a、正性光刻胶的显影液。正胶的显影液位碱性水溶液。KOH和NaOH因为会带来可 动离子净化(MIC,Movable Ion Contamination),所以在IC制作中一样平常不用。最通俗的正胶显影液是四甲基氢氧化铵(TMAH)(模范当量浓度为0.26,温度 15~250C)。在I线光刻胶曝光中会天生羧酸,TMAH显影液中的碱与酸中和使曝光的光刻胶溶解于显影液,而未曝光的光刻胶没有影响;在化学放大光刻 胶(CAR,Chemical Amplified Resist)中包含的酚醛树脂以PHS情势存在。CAR中的PAG发生的酸会去除PHS中的掩护基团(t-BOC),从而使PHS疾速溶解于TMAH显 影液中。全体显影过程中,TMAH没有同PHS发生反应。

b、负性光刻胶的显影液。二甲苯。洗濯液为乙酸丁脂或乙醇、三氯乙烯。

显影中的常见成就:a、显影不完全(Incomplete Development)。外面还残留有光刻胶。显影液不敷形成;b、显影还(Under Development)。显影的侧壁不垂直,由显影光阴不敷形成;c、过度显影(Over Development)。靠近外面的光刻胶被显影液过度溶解,构成台阶。显影光阴太长。

8、硬烘(Hard Baking)

办法:热板,100~1300C(略高于玻璃化温度Tg),1~2分钟。

偏向:a、完全蒸发掉光刻胶里面的溶剂(以免在净化后续的离子注入环境,例如DNQ酚醛树脂 光刻胶中的氮会引起光刻胶局部爆裂);b、坚膜,以提高光刻胶在离子注入或刻蚀中掩护下外面的能力;c、进一步增强光刻胶与硅片外面之间的黏附性;d、进 一步削减驻波效应(Standing Wave Effect)。

常见成就:a、烘烤不敷(Underbake)。减弱光刻胶的强度(抗刻蚀能力和离子注入中 的阻挡能力);低落针孔填充能力(Gapfill Capability for the needle hole);低落与基底的黏附能力。b、烘烤过度(Overbake)。引起光刻胶的运动,使图形精度低落,分辨率变差。

另外还可以或许或许用深紫外线(DUV,Deep Ultra-Violet)坚膜。使正性光刻胶树脂发生交联构成一层薄的外面硬壳,增长光刻胶的热稳固性。在后面的等离子刻蚀和离子注入(125~2000C)工艺中削减因光刻胶高温运动而引起分辨率的低落。


原文标题:半导体的光刻工艺全过程技术详解!

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各企业积极投入FD-SOI元件开拓 看好后续市场睁开

为求低功耗、高能效及高性价比之元件,市场逐渐开拓出FD-SOI(完全空乏型硅绝缘层金氧半晶体管)布局....
的头像 半导体静态 发表于>2019-05-26 17:22 ? 887次 阅读
各企业积极投入FD-SOI元件开拓 看好后续市场睁开

我国半导体厂商产能将迎大涨 估计2024年月产能高达85.6万片8寸等效晶圆

不论有没有中兴和华为被制裁的成就,中国ICT行业缺芯(处理器)少魂(操纵体系)的成就都是长期存在的....
的头像 半导体静态 发表于>2019-05-26 17:14 ? 402次 阅读
我国半导体厂商产能将迎大涨 估计2024年月产能高达85.6万片8寸等效晶圆

GF宣布将旗下ASIC业务Avera半导体出售给Marvell公司 总计7.4亿美元

在全球晶圆代工市场上,台积电一家独大,去年营收342亿美元,占了全球50%以上的份额,而且是纯晶圆代....
的头像 半导体静态 发表于>2019-05-26 17:06 ? 508次 阅读
GF宣布将旗下ASIC业务Avera半导体出售给Marvell公司 总计7.4亿美元

上海市政府表示部分企业研发能力已达7纳米 刻蚀机及光刻机等计谋产品已到达或接近国际先辈程度

半导体是国内目前大力睁开的产业,也是国内公司对美国依赖至多的行业之一。在设计、制作及封装三个关键中,....
的头像 半导体静态 发表于>2019-05-26 17:00 ? 894次 阅读
上海市政府表示部分企业研发能力已达7纳米 刻蚀机及光刻机等计谋产品已到达或接近国际先辈程度

科幻或将变成实际 超导加快未来新科技

首先从电开端说起,如今的社会实际已经离不开电了,电在未来是不行或缺的资源,但咱咱咱们在用电的过程中会发生....
的头像 广州电子新闻网工程师 发表于>2019-05-26 15:53 ? 407次 阅读
科幻或将变成实际 超导加快未来新科技

芯片和半导体和集成电路之间的差别

芯片,又称微电路(microcircuit)、微芯片(microchip)、集成电路(英语:inte....
的头像 广州电子新闻网工程师 发表于>2019-05-26 15:25 ? 413次 阅读
芯片和半导体和集成电路之间的差别

阐发 | 对新情势下国内半导体设备洽购的思虑和建议

如今应增强自立研发、晋升现有产能为主,用“质”的晋升代替“量”的扩大。
的头像 TechSugar 发表于>2019-05-26 15:20 ? 579次 阅读
阐发 | 对新情势下国内半导体设备洽购的思虑和建议

Q1全体半导体市场面对挑衅,Q2有望逐季回温

第一季全体半导体市场持续面对挑衅,除了存储器产业面对供过于求和价钱大幅滑落的压力外,逻辑芯片市场也同....
的头像 CINNO 发表于>2019-05-26 15:01 ? 367次 阅读
Q1全体半导体市场面对挑衅,Q2有望逐季回温

低功耗DFM和高速接口

近两年,国际上大的半导体公司都推出了65纳米产品,并开端了45纳米/40纳米产品的研发,而国内也已经有五六家企业开端了65纳米的设...
发表于>2019-05-26 05:00 ? 54次 阅读
低功耗DFM和高速接口

4155C/4156C半导体参数阐发仪样本应用程序指南

Guide book of sample application programs furnished with 4155C/4156C...
发表于>2019-05-26 16:19 ? 91次 阅读
4155C/4156C半导体参数阐发仪样本应用程序指南

新型数字电容隔离器的功效原理和内部布局

作者:Thomas Kugelstadt,德州仪器 (TI) 高级应用工程师 工业和医疗应用中机械和设备设计规定的愈加严厉迫使咱咱咱们必必要在...
发表于>2019-05-26 07:00 ? 68次 阅读
新型数字电容隔离器的功效原理和内部布局

高机能功率半导体封装在汽车通孔的应用

作者:Benjamin Jackson汽车MOSFET与DirectFET产品部产品及业务睁开司理 国际整流器公司 能效十分重要。事实上...
发表于>2019-05-26 14:11 ? 243次 阅读
高机能功率半导体封装在汽车通孔的应用

请问fft中采纳同位运算为什么还要用两块ram,同位运算不是只要一个ram就好了吗?

fft中采纳同位运算为什么还要用两块ram,同位运算不是只要一个ram就好了吗? ...
发表于>2019-05-26 15:36 ? 289次 阅读
请问fft中采纳同位运算为什么还要用两块ram,同位运算不是只要一个ram就好了吗?

半导体照明的劣势

LED照明技术缺点的有哪些(附图)
发表于>2019-05-26 14:50 ? 94次 阅读
半导体照明的劣势

解读可分解的无机半导体芯片

    来自于美国史丹佛大学的研究团队,制作出了一种像皮肤般柔软且无机的半导体元件,只需对其添加弱酸,比如醋酸,该...
发表于>2019-05-26 14:00 ? 540次 阅读
解读可分解的无机半导体芯片

半导体三极管是如何工作的

PNP型半导体三极管和NPN型半导体三极管的基本工作原理完全一样,下面以NPN型半导体三极管为例来说明其内部的电流传输过...
发表于>2019-05-26 09:05 ? 566次 阅读
半导体三极管是如何工作的

第三代半导体资料氮化镓/GaN 未来睁开及技术应用

GaN将在高功率、高频率射频市场及5G 基站PA的无力候选技术。未来预估5-10年内GaN 新型资料将疾速突起并霸占多数得半导体市...
发表于>2019-05-26 22:28 ? 420次 阅读
第三代半导体资料氮化镓/GaN 未来睁开及技术应用

LM324LV 4 通道行业模范低电压运算放大器

LM3xxLV系列包含单个LM321LV,双LM358LV和四个LM324LVoperational放大器或运算放大器。这些器件采纳2.7 V至5.5 V的低电压工作。 这些运算放大器是LM321,LM358和LM324的替代产品,适用于对本钱敏感的低电压应用。一些应用是大型电器,烟雾探测器和小我电子产品。 LM3xxLV器件在低电压下供给比LM3xx器件更好的机能,而且功耗更低。运算放大器在单位增益下稳固,在过驱动条件下不会反相。 ESD设计为LM3xxLV系列供给了至少2 kV的HBM规格。 LM3xxLV系列供给具有行业模范的封装。这些封装包含SOT-23,SOIC,VSSOP和TSSOP封装。 特性 用于本钱敏感体系的工业模范放大器 低输入失调电压:±1 mV 共模电压规模包含接地 单位增益带宽:1 MHz 低宽带噪声:40 nV /√ Hz < li>低静态电流:90μA/Ch 单位增益稳固 工作电压为2.7 V至5.5 V 供给单,双和四通道变体 持重的ESD尺度:2 kV HBM 扩大温度规模:-40°C至125°C 统统牌号均为其各自统统者的产业。 参数 与其它产品相比?通用 运算放大器 ? Number of channels (#) Total Supply Voltage (Min) (+5V=5, +/-5V=1...
发表于>2019-05-26 17:51 ? 680次 阅读
LM324LV 4 通道行业模范低电压运算放大器

TLV9052 5MHz、15-V/?s 高转换率 RRIO 运算放大器

TLV9051,TLV9052和TLV9054器件分离是单,双和四运算放大器。这些器件针对1.8 V至5.5 V的低电压工作停止了优化。输入和输入可以或许或许以非常高的压摆率从轨到轨工作。这些器件非常适用于必要低压工作,高压摆率和低静态电流的本钱受限应用。这些应用包含大型电器和三相电机的节制。 TLV905x系列的容性负载驱动为200 pF,电阻性开环输入阻抗使容性稳固更高,容性更高。 TLV905x系列易于应用,因为器件是同一的 - 增益稳固,包含一个RFI和EMI滤波器,在过载条件下不会发生反相。 特性 高转换率:15 V /μs 低静态电流:330μA 轨道-to-Rail输入和输入 低输入失调电压:±0.33 mV 单位增益带宽:5 MHz 低宽带噪声:15 nV /√ Hz 低输入偏置电流:2 pA Unity-Gain稳固 内部RFI和EMI滤波器 适用于低本钱应用的可扩大CMOS运算放大器系列 工作电压低至1.8 V 因为电阻开环,电容负载更容易稳固输入阻抗 扩大温度规模:-40°C至125°C 统统牌号均为其各自统统者的产业。 参数 与其它产品相比?通用 运算放大器 ? Number of channels (#) Total Supply Voltage (Min) (+5V=5, +/-5V=10) Total Supply Vo...
发表于>2019-05-26 17:51 ? 72次 阅读
TLV9052 5MHz、15-V/?s 高转换率 RRIO 运算放大器

TMP422-EP 增强型产品,具有 N 因数和串联电阻校正的 ±1°C 双路长途和本地温度传感器

TMP422是具有内置本地温度传感器的长途温度传感器监视器。长途温度传感器具有二极管衔接的晶体管 - 通常是低本钱,NPN-或许PNP - 类晶体管或许作为微节制器,微处理器,或许FPGA构成部分的二极管。 无需校准,对多临盆商的长途精度是±1°C。这个2线串行接口接受SMBus写字节,读字节,发送字节和接收字节命令对此器件停止设置设备摆设。 TMP422包含串联电阻抵消,可编程非抱负性因子,大规模长途温度测量(高达150℃),和二极管错误检测。 TMP422采纳SOT23-8封装。 特性 SOT23-8封装 ±1°C长途二极管传感器(最大值) ±2.5°C本地温度传感器(最大值) 串联电阻抵消 n-因子校正 两线/SMBus串口 多重接口地址 二极管故障检测 RoHS兼容和无Sb /Br 参数 与其它产品相比?数字温度传感器 ? Interface Local sensor accuracy (Max) (+/- C) Temp Resolution (Max) (bits) Operating temperature range (C) Supply Voltage (Min) (V) Supply Voltage (Max) (V) Supply Current (Max) (uA) Features Remote channels (#) Rating Package Group Package size: mm2:W x L (PKG) ? TMP422-...
发表于>2019-05-26 17:51 ? 77次 阅读
TMP422-EP 增强型产品,具有 N 因数和串联电阻校正的 ±1°C 双路长途和本地温度传感器

LP8733-Q1 LP8733-Q1 双路高电流降压转换器和双路线性稳压器

LP8733xx-Q1专为称心的电源管理请求而设计,这些处理器和平台用于汽车应用中的闭环机能。该器件具有两个可设置设备摆设为单个两相稳压器或两个单相稳压器的降压直流/直流转换器和两个线性稳压器和通用数字输入信号。该器件由I 2 C兼容串行接口和使能信号停止节制。 主动PWM /PFM(AUTO情势)操纵与主动相位增长/削减相结合,可在较宽输入电流规模内最大限度地提高效力.LP8733xx-Q1支撑长途电压检测(采纳两相设置设备摆设的差分),可补偿稳压器输入与负载点(POL)之间的IR压降,从而提高输入电压的精度。别的,可以或许或许强制开关时钟进入PWM情势和将其与内部时钟同步,从而最大限度地低落干扰。 LP8733xx-Q1器件支撑可编程启动和关断延迟与排序(包含与使能信号同步的GPO信号)。在启动和电压变更期间,器件会对出转换率停止节制,从而最大限度地减小输入电压过冲和浪涌电流。 特性 具有相符 AEC-Q100 模范的下列特性:器件温度 1 级:-40℃ 至 +125℃ 的环境运行温度规模输入电压:2.8V 至 5.5V两个高效降压直流/直流转换器:输入电压:0.7V 至 3.36V最大输入电流 3A/相采纳两相设置设备摆设的主动相位增长/削减和强制多相操纵采纳两相设置设备摆设的远...
发表于>2019-05-26 17:51 ? 86次 阅读
LP8733-Q1 LP8733-Q1 双路高电流降压转换器和双路线性稳压器

TPS3840 具有手动复位和可编程复位光阴延迟功效的毫微功耗高输入电压监控器

TPS3840系列电压监控器或复位IC可在高电压下工作,同时在全体V DD 上对峙非常低的静态电流和温度规模。 TPS3840供给低功耗,高精度和低流传延迟的最佳组合(t p_HL =30μs典型值)。 当VDD上的电压低于负电压阈值(V IT - )或手动复位拉低逻辑(V MR _L )。当V DD 上升到V IT - 加滞后(V IT + )和手动复位( MR )时,复位信号被清除)浮动或高于V MR _H ,复位光阴延迟(t D )到期。可以或许或许颠末过程在CT引脚和地之间衔接一个电容来编程复位延时。对付疾速复位,CT引脚可以或许或许悬空。 附加功效:低上电复位电压(V POR ), MR 和VDD的内置线路抗扰度掩护,内置迟滞,低开漏输入漏电流(I LKG(OD))。 TPS3840是一款完善的电压监测解决计划,适用于工业应用和电池供电/低功耗应用。 结果 结果 结果 结果 结果 结果 结果 结果 结果 结果 特性 宽工作电压:1.5 V至10 V 纳米电源电流:350 nA(典型值) 固定阈值电压(V IT - ) 阈值从1.6 V到4.9 V,步长为0.1 V 高精度:1%(典型值) 内置滞后(V IT + ) 1.6 V&lt; V IT - ≤3.1V= 100mV(典...
发表于>2019-05-26 17:51 ? 111次 阅读
TPS3840 具有手动复位和可编程复位光阴延迟功效的毫微功耗高输入电压监控器

INA240-SEP 采纳增强型航天塑料且具有增强型 PWM 克制功效的 80V、高/低侧、零漂移电流检测放大器

INA240-SEP器件是一款电压输入,电流检测放大器,具有增强的PWM反射功效,可以或许或许在宽共模电压下检测分流电阻上的压降规模为-4V至80V,与电源电压无关。负共模电压允许器件在公开工作,顺应典型电磁阀应用的反激光阴。 EnhancedPWM克制为应用脉冲宽度调制(PWM)信号的大型共模瞬变(ΔV/Δt)体系(如电机驱动和电磁阀节制体系)供给高程度的克制。此功效可实现精确的电流测量,无需大的瞬态电压和输入电压上的相干规复纹波。 该器件采纳2.7 V至5.5 V单电源供电,最大电源电流为2.4 mA 。固定增益为20 V /V.零漂移架构的低失调允许电流检测,分流器上的最大压低落至10 mV满量程。 特性 VID V62 /18615 抗辐射 单事件闩锁(SEL)免疫43 MeV-cm 2 /mgat 125° ELDRS每次应用晶圆批次可达30 krad(Si) TotalIonizing Dose(TID)RLAT至20krad(Si) 空间增强塑料 受控基线 金线 NiPdAu LeadFinish < /li> 一个装配和测试现场 一个制作现场 可用于军用(-55°C至125°C)温度规模 ExtendedProduct性命周期 扩大产品更改通知 产品可追溯性 用于低释气的增强型模具化合物 增强型PWM克制 精彩...
发表于>2019-05-26 17:51 ? 68次 阅读
INA240-SEP 采纳增强型航天塑料且具有增强型 PWM 克制功效的 80V、高/低侧、零漂移电流检测放大器

LM96000 具有集成风扇节制的硬件监控器

LM96000硬件监视器具有与SMBus 2.0兼容的双线数字接口。应用8位ΣΔADC,LM96000测量: 两个长途二极管衔接晶体管及其自己裸片的温度 VCCP,2.5V,3.3 VSBY,5.0V和12V电源(内部定标电阻)。 为了设置风扇速率,LM96000有三个PWM输入,每个输入由三个温度地区之一节制。支撑高和低PWM频率规模。 LM96000包含一个数字滤波器,可调用该滤波器以平滑温度读数,从而更好地节制风扇速率。 LM96000有四个转速计输入,用于测量风扇速率。包含统统测量值的限制和状况存放器。 特性 相符SMBus 2.0模范的2线制串行数字接口 8位ΣΔADC 监控VCCP,2.5V,3.3 VSBY,5.0V和12V主板/处理器电源 监控2个长途热二极管 基于温度读数的可编程自立风扇节制 风扇节制温度读数的噪声过滤 1.0°C数字温度传感器分辨率 3 PWM风扇速率节制输入 供给高低PWM频率规模 4风扇转速计输入 监控5条VID节制线 24针TSSOP封装 XOR-tree测试情势< /li> Key Specifications Voltage Measurement Accuracy ±2% FS (max) Resolution 8-bits, 1°C Temperature Sensor Accuracy ±3°C (max) Temperature ...
发表于>2019-05-26 17:51 ? 85次 阅读
LM96000 具有集成风扇节制的硬件监控器

LM63 具有集成风扇节制的精确长途二极管数字温度传感器

LM63是一款带集成风扇节制的长途二极管温度传感器。 LM63精确测量:(1)自己温度和(2)二极管衔接的晶体管(如2N3904)或计算机处理器,图形处理器单位(GPU)和其余ASIC上常见的热敏二极管的温度。 LM63长途温度传感器的精度针对串联电阻和英特尔0.13μm奔腾4和移动奔腾4处理器-M热敏二极管的1.0021非抱负性停止了工场调剂。 LM63有一个偏移存放器,用于校正由其余热二极管的分歧非抱负因素引起的误差。 LM63还具有集成的脉冲宽度调制(PWM)开漏风扇节制输入。风扇速率是长途温度读数,查找表和存放器设置的组合。 8步查找表应用户可以或许或许编程非线性风扇速率与温度传递函数,通常用于静音声学风扇噪声。 特性 精确感应板载大型处理器或ASIC上的二极管衔接2N3904晶体管或热二极管 精确感知其自己温度< /li> 针对英特尔奔腾4和移动奔腾4处理器-M热二极管的工场调剂 集成PWM风扇速率节制输入 应用用户可编程低落声学风扇噪音8 -Step查找表 用于 ALERT 输入或转速计输入,功效的多功效,用户可选引脚 用于测量风扇RPM的转速计输入< /li> 用于测量典型应用中脉冲宽度调制功率的风扇转速的Smart-Tach情势 偏移存放器可针对...
发表于>2019-05-26 17:51 ? 144次 阅读
LM63 具有集成风扇节制的精确长途二极管数字温度传感器

AWR1843 集成 DSP、MCU 和雷达加快器的 76GHz 至 81GHz 单芯片汽车雷达传感器

AWR1843器件是一款集成的单芯片FMCW雷达传感器,可以或许或许在76至81 GHz频段内工作。该器件采纳TI的低功耗45纳米RFCMOS工艺制作,可在极小的外形尺寸内实现前所未有的集成度。 AWR1843是汽车领域低功耗,自监控,超精确雷达体系的抱负解决计划。 AWR1843器件是一款自力的FMCW雷达传感器单芯片解决计划,可简化在76至81 GHz频段内履行汽车雷达传感器。它基于TI的低功耗45纳米RFCMOS工艺,可实现具有内置PLL和A2D转换器的3TX,4RX体系的单片实现。它集成为了DSP子体系,此中包含TI的高机能C674x DSP,用于雷达信号处理。该设备包含BIST处理器子体系,卖力无线电设置设备摆设,节制和校准。别的,该器件还包含一个用户可编程ARM R4F,用于汽车接口。硬件加快器模块(HWA)可以或许或许履行雷达处理,并可以或许或许帮助在DSP上保留MIPS以获得更高级别的算法。简略的编程模子更改可以或许或许实现各种传感器实现(短,中,长),而且可以或许或许静态从新设置设备摆设以实现多模传感器。别的,该设备作为完备的平台解决计划供给,包含参考硬件设计,软件驱动程序,示例设置设备摆设,API指南和用户文档。 特性 FMCW收发器 集成PLL,发送器,接收...
发表于>2019-05-26 17:51 ? 543次 阅读
AWR1843 集成 DSP、MCU 和雷达加快器的 76GHz 至 81GHz 单芯片汽车雷达传感器

OPA4388 10MHz、CMOS、零漂移、零交叉、真 RRIO 周详运算放大器

OPAx388(OPA388,OPA2388和OPA4388)系列高精度运算放大器是超低噪声,疾速稳固,零漂移,零交叉器件,可实现轨到轨输入和输入运行。这些特性及优越交换机能与仅为0.25μV的偏移电压和0.005μV/°C的温度漂移相结合,使OPAx388成为驱动高精度模数转换器(ADC)或缓冲高分辨率数模转换器(DAC)输入的抱负抉择。该设计可在驱动模数转换器(ADC)的过程中实现优越机能,不会低落线性度.OPA388(单通道版本)供给VSSOP-8,SOT23 -5和SOIC-8三种封装.OPA2388(双通道版本)供给VSSOP-8和SO-8两种封装.OPA4388(四通道版本)供给TSSOP-14和SO-14两种封装。上述统统版本在-40°C至+ 125°C扩大工业温度规模内额定运行。 特性 超低偏移电压:±0.25μV 零漂移:±0.005μV/°C 零交叉:140dB CMRR实际RRIO 低噪声:1kHz时为7.0nV /√ Hz 无1 /f噪声:140nV < sub> PP (0.1Hz至10Hz) 疾速稳固:2μs(1V至0.01%) 增益带宽:10MHz 单电源:2.5V至5.5V 双电源:±1.25V至±2.75V 真实轨到轨输入和输入 已滤除电磁干扰( EMI)/射频干扰(RFI)的输入 行业标...
发表于>2019-05-26 17:51 ? 82次 阅读
OPA4388 10MHz、CMOS、零漂移、零交叉、真 RRIO 周详运算放大器

TLV2314-Q1 3MHz、低功耗、内置 EMI 滤波器的 RRIO 运算放大器

TLVx314-Q1系列单通道,双通道和四通道运算放大器是新一代低功耗,通用运算放大器的典型代表。该系列器件具有轨到轨输入和输入(RRIO)摆幅,低静态电流(5V时典型值为150μA),3MHz高带宽等特性,非常适用于必要在本钱与机能间实现优越均衡的各种电池供电型应用。 TLVx314-Q1系列可实现1pA低输入偏置电流,是高阻抗传感器的抱负抉择。 TLVx314-Q1器件采纳持重耐用的设计,便利电路设计职员应用。该器件具有单位增益稳固性,支撑轨到轨输入和输入(RRIO),容性负载高达300PF,集成RF和EMI克制滤波器,在过驱条件下不会出现反相而且具有高静电放电(ESD)掩护(4kV人体模子(HBM))。 此类器件颠末优化,得当在1.8V(±0.9V)至5.5V(±2.75V)的低电压状况下工作并可在-40°C至+ 125°C的扩大工业温度规模内额定运行。 TLV314-Q1(单通道)采纳5引脚SC70和小外形尺寸晶体管(SOT)-23封装.TLV2314-Q1(双通道版本)采纳8引脚小外形尺寸集成电路(SOIC)封装和超薄外形尺寸(VSSOP)封装。四通道TLV4314-Q1采纳14引脚薄型小外形尺寸(TSSOP)封装。 特性 相符汽车类应用的请求 具...
发表于>2019-05-26 17:51 ? 86次 阅读
TLV2314-Q1 3MHz、低功耗、内置 EMI 滤波器的 RRIO 运算放大器

DRV5021 2.5V 至 5.5V 霍尔效应单极开关

DRV5021器件是一款用于高速应用的低压数字开关霍尔效应传感器。该器件采纳2.5V至5.5V电源工作,可检测磁通密度,并根据预定义的磁阈值供给数字输入。 该器件检测垂直于封装面的磁场。当施加的磁通密度超过磁操纵点(B OP )阈值时,器件的漏极开路输入驱动低电压。当磁通密度低落到小于磁释放点(B RP )阈值时,输入变为高阻抗。由B OP 和B RP 分离发生的滞后有助于防止输入噪声引起的输入误差。这种设置设备摆设使体系设计更增壮大,可抵抗噪声干扰。 该器件可在-40°C至+ 125°C的宽环境温度规模内不停如一地工作。 特性 数字单极开关霍尔传感器 2.5 V至5.5 V工作电压V CC 规模 磁敏感度选项(B OP ,B RP ): DRV5021A1:2.9 mT,1.8 mT DRV5021A2:9.2 mT,7.0 mT DRV5021A3:17.9 mT,14.1 mT 疾速30-kHz感应带宽 开漏输入可以或许或许到达20 mA 优化的低压架构 集成滞后以增强抗噪能力 工作温度规模:-40° C至+ 125°C 模范工业封装: 外面贴装SOT-23 统统牌号均为其各自统统者的产业。 参数 与其它产品相比?霍尔效应锁存器和开关 ? Type Supply Voltage (Vcc) (Min) (V...
发表于>2019-05-26 17:51 ? 118次 阅读
DRV5021 2.5V 至 5.5V 霍尔效应单极开关

TLV1805-Q1 具无关断功效的 40V 微功耗推挽式汽车类高电压比较器

TLV1805-Q1高压比较器供给宽电源规模,推挽输入,轨到轨输入,低静态电流,关断的独特组合和疾速输入相应。统统这些特性使该比较器非常得当必要检测正或负电压轨的应用,如智能二极管节制器的反向电流掩护,过流检测和过压掩护电路,此中推挽输入级用于驱动栅极p沟道或n沟道MOSFET开关。 高峰值电流推挽输入级是高压比较器的独特之处,它具有允许输入主动驱动负载到电源轨的优势具有疾速边缘速率。这在MOSFET开关必要被驱动为高或低以便将主机与意外高压电源衔接或断开的应用中分外有价值。低输入失调电压,低输入偏置电流和高阻态关断等附加功效使TLV1805-Q1足够机动,可以或许或许处理几乎任何应用,从简略的电压检测到驱动单个继电器。 TLV1805-Q1相符AEC-Q100模范,采纳6引脚SOT-23封装,额定工作温度规模为-40°C至+ 125°C。 特性 AEC-Q100相符如下结果: DeviceTemperature 1级:-40°C至+ 125°C环境温度工作温度 器件HBMESD分类品级2 器件CDM ESD分类品级C4A 3.3 V至40 V电源规模 低静态电流:每个比较器150μA 两个导轨以外的输入共模规模 相位反转掩护 推 - 拉输入 250ns流传延迟 低输入失...
发表于>2019-05-26 17:51 ? 93次 阅读
TLV1805-Q1 具无关断功效的 40V 微功耗推挽式汽车类高电压比较器

TMP461-SP 耐辐射 (RHA) 高精度长途和本地温度传感器

这个长途温度传感器通常采纳低本钱分立式NPN或PNP晶体管,或许基板热晶体管/二极管,这些器件都是微处理器,模数转换器(ADC),数模转换器(DAC),微节制器或现场可编程门阵列(FPGA)中不行或缺的部件。本地和长途传感器均用12位数字编码表示温度,分辨率为0.0625°C。此两线制串口接受SMBus通讯协定,和多达9个分歧的引脚可编程地址。 该器件将诸如串联电阻抵消,可编程非抱负性因子(η因子),可编程偏移,可编程温度限制和可编程数字滤波器等高级特性完善结合,供给了一套精确度和抗扰度更高且持重耐用的温度监控解决计划。 TMP461-SP是在各种散布式遥测应用中停止多地位高精度温度测量的抱负抉择这类集成式本地和长途温度传感器可供给一种简略的办法来测量温度梯度,进而简化了航天器掩护运动。该器件的额定电源电压规模为1.7V至3.6V,额定工作温度规模为-55 °C至125°C。 特性 相符QMLV模范:5962-1721801VXC 热增强型HKU封装 经测试,在50rad /s的高剂量率(HDR)下,可抵抗高达50krad(Si)的电离辐射总剂量(TID) 经测试,在10mrad /s的低剂量率(LDR)下,可抵抗高达100krad(Si)的电离辐射...
发表于>2019-05-26 17:51 ? 147次 阅读
TMP461-SP 耐辐射 (RHA) 高精度长途和本地温度传感器

LP87524P-Q1 用于 AWR 和 IWR MMIC 的四个 4MHz 降压转换器

LP87524B /J /P-Q1旨在称心各种汽车电源应用中最新处理器和平台的电源管理请求。该器件包含四个降压DC-DC转换器内核,设置设备摆设为4个单相输入。该器件由I 2 C兼容串行接口和enableignals节制。 主动PFM /PWM(主动情势)操纵可在宽输入电流规模内最大限度地提高效力。 LP87524B /J /P-Q1支撑长途电压检测,以补偿稳压器输入和负载点(POL)之间的IR压降,从而提高输入电压的精度。别的,开关时钟可以或许或许强制为PWM情势,也可以或许或许与内部时钟同步,以最大限度地削减干扰。 LP87524B /J /P-Q1器件支撑负载电流测量,无需增长内部电流检测电阻器。别的,LP87524B /J /P-Q1还支撑可编程的启动和关闭延迟和与信号同步的序列。这些序列还可以或许或许包含GPIO信号,以节制内部稳压器,负载开关和处理器复位。在启动和电压变更期间,器件节制输入压摆率,以最大限度地削减输入电压过冲和浪涌电流。 特性 相符汽车应釉墼勖请求 AEC-Q100相符如下结果: 设备温度品级1:-40°C至+ 125°C环境工作温度 输入电压:2.8 V至5.5 V 输入电压:0.6 V至3.36 V 四个高效降压型DC-DC转换器内核: 总输入电流高达10 A 输入电压漏电率...
发表于>2019-05-26 17:51 ? 134次 阅读
LP87524P-Q1 用于 AWR 和 IWR MMIC 的四个 4MHz 降压转换器

TAS2562 具有扬声器 IV 检测功效的数字输入单声道 D 类音频放大器

TAS2562是一款数字输入D类音频放大器,颠末优化,可以或许或许有用地将高峰值功率驱动到小型扬声器应用中。 D类放大器可以或许或许在电压为3.6 V的环境下向6.1负载供给6.1 W的峰值功率。 集成扬声器电压和电流检测可实现对扬声器的实时监控。这允许在将扬声器对峙在安全操纵地区的同时推动峰值SPL。具有防止掉电的电池跟踪峰值电压限制器可优化全体充电周期内的放大器裕量,防止体系关闭。 I 2 S /TDM + I中至多可有四个器件共用一个公共总线 2 C接口。 TAS2562器件采纳36球,0.4 mm间距CSP封装,尺寸紧凑。 高机能D类放大器 6.1 W 1%THD + N(3.6 V时4Ω) 5 W 1%THD + N(在3.6 V时为8Ω) 15μVrmsA加权空闲信道噪声 112.5dB SNR为1%THD + N(8Ω) 100dB PSRR,200 mV PP 纹波频率为20 - 20 kHz 83.5%效力为1 W (8Ω,VBAT = 4.2V) &lt; 1μAHW关断VBAT电流 扬声器电压和电流检测 VBAT跟踪峰值电压限制器,具有欠压预防 8 kHz至192 kHz采样率 机动的用户界面 I 2 S /TDM:8通道(32位/96 kHz) I 2 < /sup> C:4个可抉择的地址 MCLK免费操纵 低流行并点...
发表于>2019-05-26 17:51 ? 187次 阅读
TAS2562 具有扬声器 IV 检测功效的数字输入单声道 D 类音频放大器

LM358B 双路运算放大器

LM358B和LM2904B器件是业界模范的LM358和LM2904器件的下一代版本,包含两个高压(36V)操纵放大器(运算放大器)。这些器件为本钱敏感型应用供给了精彩的价值,具有低失调(300μV,典型值),共模输入接地规模和高差分输入电压能力等特色。 LM358B和LM2904B器件简化电路设计具有增强稳固性,3 mV(室温下最大)的低偏移电压和300μA(典型值)的低静态电流等增强功效。 LM358B和LM2904B器件具有高ESD(2 kV,HBM)和集成的EMI和RF滤波器,可用于最坚固,极具环境挑衅性的应用。 LM358B和LM2904B器件采纳微型封装,例如TSOT-8和WSON,和行业模范封装,包含SOIC,TSSOP和VSSOP。 特性 3 V至36 V的宽电源规模(B版) 供给 - 电流为300μA(B版,典型值) 1.2 MHz的单位增益带宽(B版) 通俗 - 情势输入电压规模包含接地,使能接地间接接地 25°C时低输入偏移电压3 mV(A和B型号,最大值) 内部RF和EMI滤波器(B版) 在相符MIL-PRF-38535的产品上,除非另有说明,否则统统参数均颠末测试。在统统其余产品上,临盆加工不一定包含统统参数的测试。 所...
发表于>2019-05-26 17:51 ? 125次 阅读
LM358B 双路运算放大器

LP87565-Q1 具有集成开关的四相 8A + 8A 降压转换器

LP8756x-Q1器件专为称心各种汽车电源应用中最新处理器和平台的电源管理请求而设计。该器件包含四个降压直流/直流转换器内核,这些内核可设置设备摆设为1个四相输入,1个三相和1个单相输入,2个两相输入,1个两相和2个单相输入,或许4个单相输入。该器件由I 2 C兼容串行接口和使能信号停止节制。 主动脉宽调制(PWM)到脉频调制(PFM)操纵( AUTO情势)与主动增相和切相相结合,可在较宽输入电流规模内最大限度地提高效力.LP8756x-Q1支撑对多相位输入的长途差分电压检测,可补偿稳压器输入与负载点(POL)之间的IR压降,从而提高输入电压的精度。别的,可以或许或许强制开关时钟进入PWM情势和将其与内部时钟同步,从而最大限度地低落干扰。 LP8756x- Q1器件支撑在不添加内部电流检测电阻器的环境下停止负载电这个序列可能包含用于节制内部稳压器,负载开关和处理器复位的GPIO信号。在启动和电压变更期间,该器件会对输入压摆率停止节制,从而最大限度地减小输入电压过冲和浪涌电流。 特性 相符汽车类模范 具有相符AEC-Q100模范的下列特性: 器件温度1级:-40℃至+ 125℃的环境运行温度规模 器件HBM ESD分类品级2 器件CDM ES...
发表于>2019-05-26 17:51 ? 116次 阅读
LP87565-Q1 具有集成开关的四相 8A + 8A 降压转换器

LM2902LV 行业模范、低电压放大器

LM290xLV系列包含双路LM2904LV和四路LM2902LV运算放大器。这些器件由2.7V至5.5V的低电压供电。 这些运算放大器可以或许或许替代低电压应用中的本钱敏感型LM2904和LM2902。有些应用是大型电器,烟雾探测器和小我电子产品.LM290xLV器件在低电压下可供给比LM290x器件更佳的机能,而且功效耗尽。这些运算放大器具有单位增益稳固性,而且在过驱环境下不会出现相位反转.ESD设计为LM290xLV系列供给了至少2kV的HBM规格。 LM290xLV系列采纳行业模范封装。这些封装包含SOIC,VSSOP和TSSOP封装。 特性 适用于本钱敏感型体系的工业模范放大器 低输入失调电压:±1mV < LI>共模电压规模包含接地 单位增益带宽:1MHz的 低宽带噪声:40nV /√赫兹 低静态电流:90μA/通道 单位增益稳固 可在2.7V至5.5V的电源电压下运行 供给双通道和四通道型号< /li> 严厉的ESD规格:2kV HBM 扩大温度规模:-40°C至125°C 统统牌号均为各自统统者的产业。 参数 与其它产品相比?通用 运算放大器 ? Number of channels (#) Total Supply Voltage (Min) (+5V=5, +/-5V=10) Total Supply Voltage (Max) (+5V...
发表于>2019-05-26 17:51 ? 102次 阅读
LM2902LV 行业模范、低电压放大器

LP87561-Q1 具有集成开关的四相 16A 降压转换器

LP8756x-Q1器件专为称心各种汽车电源应用中最新处理器和平台的电源管理请求而设计。该器件包含四个降压直流/直流转换器内核,这些内核可设置设备摆设为1个四相输入,1个三相和1个单相输入,2个两相输入,1个两相和2个单相输入,或许4个单相输入。该器件由I 2 C兼容串行接口和使能信号停止节制。 主动脉宽调制(PWM)到脉频调制(PFM)操纵( AUTO情势)与主动增相和切相相结合,可在较宽输入电流规模内最大限度地提高效力.LP8756x-Q1支撑对多相位输入的长途差分电压检测,可补偿稳压器输入与负载点(POL)之间的IR压降,从而提高输入电压的精度。别的,可以或许或许强制开关时钟进入PWM情势和将其与内部时钟同步,从而最大限度地低落干扰。 LP8756x- Q1器件支撑在不添加内部电流检测电阻器的环境下停止负载电这个序列可能包含用于节制内部稳压器,负载开关和处理器复位的GPIO信号。在启动和电压变更期间,该器件会对输入压摆率停止节制,从而最大限度地减小输入电压过冲和浪涌电流。 特性 相符汽车类模范 具有相符AEC-Q100模范的下列特性: 器件温度1级:-40℃至+ 125℃的环境运行温度规模 器件HBM ESD分类品级2 器件CDM ES...
发表于>2019-05-26 17:51 ? 86次 阅读
LP87561-Q1 具有集成开关的四相 16A 降压转换器
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