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详细阐发MOSFET内部布局及参数特性的讲解

Elecfans学院推荐 ? >2019-05-13 07:27 ? 次阅读

课程介绍

重要讲解MOS管的基本特性,工作原理和注意事项。

从工程应用的角度,进一步详细阐发MOS管,真正的节制和了解MOS管,把它懂得透彻,可以或许或许在应用过程中起到事半功倍的效果。

学习获得:

1、简略概述气味传感器工作原图、空气品格及PM2.5如何检测,为什么传感器大多都是转成电压信号输入。

2、信号颠末怎样的处理能力为咱咱咱们所用。

3、什么叫Mosfet,作为电子硬件计划中非常重要的器件MOSFET有怎样的特性?MOSFET体二极管的感化?4、 N型MOSFET和N型三极管作为开关管用有什么相似之处?有哪些差别?它咱咱们在什么样的条件可以或许或许通用,什么样的条件下不能通用。

5、MOSFET和三极管哪个是压控压型,哪个是流控流型?

6、详细阐发MOSFET datasheet 重要参数。

7、详细阐发MOSFET内部布局。

8、MOSFET导通电阻的构成部分,如何减小Rdson

9、什么叫反向传输电容Crss?什么叫输入电容Ciss?什么叫输入电容Coss?详细讲解以上三种电容对MOSFET特性的影响,MOSFET守旧和关断由哪几个电容决定,如何提高MOSFET的守旧和关断速率?

10、什么叫米勒电容?如何感化和影响于MOSFET?

11、MOSFET在守旧和关断过程中为什么会发生平台电压?

12、MOSFET从完全关断到完全导通颠末哪几个阶段,在此过程中MOSFET为什么会发热。

13、MOSFET的栅极电阻有什么关键感化?

适宜学习人群:

1、如果你还是门生,正厌倦于枯燥的讲堂实践课程,想获得电子技术研发的实战经验;

2、如果你行将毕业或已经毕业,想积聚一些计划研发经验凭此在剧烈竞争的工作大军中锋芒毕露,业一份属于自己抱负的高薪工作;

3、如果你已经工作,却苦恼于技能晋升缓慢,在公司得不到加薪和疾速升迁;

4、如果你厌倦于以后所从事的工作,想疾速成为一名电子研发工程师从事令人羡慕的研发类工作。

专栏课程 9个课时(点击教程即可观看)

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UCC27518A-Q1 4A/4A 单通道高速低侧栅极驱动器

UCC27211A-Q1 UCC27211A-Q1 120V 升压、4A 峰值电流的高频高侧/低侧驱动器

UCC27211A-Q1器件驱动器基于广受迎接的UCC27201 MOSFET驱动器;但该器件相比之下具有显着的机能晋升。 < p>峰值输入上拉和下拉电流已经被提高至4A拉电流和4A灌电流,而且上拉和下拉电阻已经被减小至0.9Ω,因此可以或许或许在MOSFET的米勒效应平台转换期间用尽量小的开关损耗来驱动大功率MOSFET。输入布局可以或许或许间接处理-10 VDC,这提高了持重耐用性,而且无需应用整流二极管即可实现与栅极驱动变压器的间接对接。此输入与电源电压无关,而且具有20V的最大额定值。 UCC27211A-Q1的开关节点(HS引脚)最高可处理-18V电压,从而掩护高侧通道不受寄生电感和杂散电容所固有的负电压影响.UCC27211A-Q1已经增长了落后特性,从而使得用于模拟或数字脉宽调制(PWM)节制器的接口具有增强的抗扰度。 低端和高端栅极驱动器自力节制的,并在彼此的接通和关断之间实现为了至2ns的匹配。 因为在芯片上集成为了一个额定电压为120V的自举二极管,因此无需采纳内部分立式二极管。高侧和低侧驱动器均配有欠压锁定功效,可供给对称的导通和关断行为,而且可以或许或许在驱动电压低于指定阈值时将输入强制为低电平。 UCC27211A-Q1器件采纳8引脚SO-...
发表于>2019-05-13 11:19 ? 94次 阅读
UCC27211A-Q1 UCC27211A-Q1 120V 升压、4A 峰值电流的高频高侧/低侧驱动器

TPS51604-Q1 用于高频 CPU 内核功率应用的同步降压·FET 驱动器

TPS51604-Q1驱动器针对高频CPU V CORE 应用停止了优化。具有精简死区光阴驱动和主动零交叉等高级特性,可用于在全体负载规模内优化效力。 SKIP 引脚供给立刻CCM操纵以支撑输入电压的受节制理。别的,TPS51604-Q1还支撑两种低功耗情势。借助于三态PWM输入,静态电流可削减至130μA,并支撑立刻相应。当跳过对峙在三态时,电流可削减至8μA。此驱动器与适当的德州仪器(TI)节制器配对应用,可以或许或许成为精彩的高机能电源体系。 TPS51604-Q1器件采纳节省空间的耐热增强型8引脚2mm x 2mm WSON封装,工作温度规模为-40°C至125°C。 特性 相符汽车应釉墼勖请求 具有相符AEC-Q100的下列结果: 器件温度品级1:-40°C至125°C 器件人体模子静电放电(ESD)分类品级H2 器件的充电器件模子ESD分类品级C3B 针对已优化连续传导情势(CCM)的精简死区光阴驱动电路 针对已优化断续传导情势(DCM)效力的主动零交叉检测 针对已优化轻负载效力的多个低功耗情势 为了实现高效运行的经优化信号门路延迟 针对超等本(超极)FET的集成BST开关驱动强度 针对5V FET驱动而停止了优化 转换输入电压规模(V...
发表于>2019-05-13 11:19 ? 76次 阅读
TPS51604-Q1 用于高频 CPU 内核功率应用的同步降压·FET 驱动器

UCC27532-Q1 UCC27532-Q1 2.5A、5A、35VMAX VDD FET 和 IGBT 单门驱动器

UCC27532-Q1是一款单通道高速栅极驱动器,此驱动器可借助于高达2.5A的源电流和5A的灌电流(非对称驱动)峰值电流来有釉墼勖驱动金属氧化物半导体场效应应晶体管(MOSFET)和IGBT电源开关。非对称驱动中的微弱灌电流能力晋升了抗寄生米勒接通效应的能力.UCC27532-Q1器件还特有一个分离输入设置设备摆设,在此设置设备摆设中栅极驱动电流从OUTH引脚拉出并从OUTL引脚被灌入。这个引脚支配使得用户可以或许或许分离在OUTH和OUTL引脚采纳自力的接通和关闭电阻器,而且能很轻易地节制开关的转换率。 此驱动器具有轨到轨驱动功效和17ns(典型值)的极小流传延迟。 UCC27532-Q1器件具有CMOS输入阀值,此阀值在VDD低于或等于18V时介于比VDD高55%的电压值与比VDD低45%的电压值规模内。当VDD高于18V时,输入阀值对峙在其最大程度上。 此驱动器具有一个EN引脚,此引脚有一个固定的TTL兼容阀值.EN被内部上拉;将EN下拉为低电平禁釉墼勖驱动器,而将其对峙打开可供给正常运行。EN引脚可被用作一个额外输入,其机能与IN引脚一样。 将驱动器的输入引脚对峙开状况将把输入对峙为低电平。此驱动器的逻辑运行办法显示在,,和中。 VDD引脚...
发表于>2019-05-13 11:19 ? 35次 阅读
UCC27532-Q1 UCC27532-Q1 2.5A、5A、35VMAX VDD FET 和 IGBT 单门驱动器

UCC27516 4A/4A Single Channel High-Speed Low-side Gate Driver

UCC27516和UCC27517单通道高速低侧栅极驱动器器件可有釉墼勖驱动金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)和绝缘栅双极型晶体管(IGBT)电源开关.UCC27516和UCC27517采纳的计划计划可最大程度削减击穿电流,从而为电容负载供给较高的峰值拉/灌电流脉冲,同时供给轨到轨驱动能力和超短的流传延迟(以后VDD = 12V时,UCC27516和UCC27517可供给峰值为4A的灌/拉(对称驱动)电流驱动能力。 UCC27516和UCC27517具有4.5V至18V的宽VDD规模,和-40°C至140°C的宽温度规模.VDD引脚上的内部欠压闭锁(UVLO)电路可以或许或许超出VDD运行规模时使输入对峙低电平。此器件可以或许或许在低电压(例如低于5V)下运行,而且拥有同类产品中较好的开关特性,因此非常适用于驱动诸如GaN功率半导体器件等新上市的宽带隙电源开关器件。 UCC27516和UCC27517特有双输入计划,同一器件可机动实现反相(IN-引脚)和非反相(IN +引脚)设置设备摆设.IN +引脚和IN-引脚中的任何一个都可用于节制此驱动器输入的状况。未应用的输入引脚可被用于启用和禁用功效。出于平安考虑,输入引脚上的内部上拉和下拉电阻器在输入引脚处于悬空状况时,确保...
发表于>2019-05-13 11:19 ? 41次 阅读
UCC27516 4A/4A Single Channel High-Speed Low-side Gate Driver

UCC27324-Q1 汽车类双 4A 峰值高速低侧电源 MOSFET 驱动器

UCC27324-Q1高速双MOSFET驱动器可为容性负载供给大峰值电流。采纳本质上最小化直通电流的计划,这些驱动器在MOSFET开关转换期间在Miller平台地区供给最必要的4A电流。独特的双极和MOSFET混合输入级并联,可在低电源电压下实现高效的电流源和灌电流。 该器件采纳模范SOIC-8(D)封装。 特性 相符汽车应釉墼勖请求 行业模范引脚 高电流驱动能力±4位于Miller Plateau Region的 即使在低电源电压下也能实现高效恒流源 TTL和CMOS兼容输入自力于电源电压 典型上升光阴为20 ns,典型下降光阴为15 ns,负载为1.8 nF 典型流传延迟光阴为25 ns,输入下降,输入光阴为35 ns上升 电源电压为4 V至15 V 供电电流为0.3 mA 双输入可以或许或许并联以获得更高的驱动电流 额定值从T J = -40°C至125°C TrueDrive输入架构应用并联双极晶体管和CMOS晶体管 参数 与其它产品相比?低侧驱动器 ? Number of Channels (#) Power Switch Peak Output Current (A) Input VCC (Min) (V) Input VCC (Max) (V) Rise Time (ns) Fall Time (ns) Prop Delay (ns) Input T...
发表于>2019-05-13 11:19 ? 33次 阅读
UCC27324-Q1 汽车类双 4A 峰值高速低侧电源 MOSFET 驱动器

LM5100C 1A 高电压高侧和低侧闸极驱动器

LM5100A /B /C和LM5101A /B /C高压栅极驱动器计划用于驱动高侧和低侧N. - 同步降压或半桥设置设备摆设的通道MOSFET。浮动高侧驱动器可以或许或许在高达100 V的电源电压下工作.A版本供给完备的3-A栅极驱动,而B和C版本分离供给2 A和1 A.输入由CMOS输入阈值(LM5100A /B /C)或TTL输入阈值(LM5101A /B /C)自力节制。 供给集成高压二极管为高端栅极充电驱动自举电容。持重的电平转换器以高速运行,同时消耗低功率并供给从节制逻辑到高端栅极驱动器的干净电平转换。低侧和高侧电源轨均供给欠压锁定。这些器件采纳模范SOIC-8引脚,SO PowerPAD-8引脚和WSON-10引脚封装。 LM5100C和LM5101C也采纳MSOP-PowerPAD-8封装。 LM5101A还供给WSON-8引脚封装。 特性 驱动高侧和低侧N沟道MOSFET ...... 自力高低 - 驱动器逻辑输入 自举电源电压高达118 V DC 疾速流传光阴(典型值为25 ns) 驱动1000-pF负载,8- ns上升和下降光阴 优越的流传延迟匹配(3 ns 典型值) 电源轨欠压锁定 低功耗< /li> 引脚与HIP2100 /HIP2101兼容 参数 与其它产品相比?半桥驱动器 ? Number of Ch...
发表于>2019-05-13 11:19 ? 90次 阅读
LM5100C 1A 高电压高侧和低侧闸极驱动器

TPS2811-Q1 具有内部稳压器的汽车类反向双路高速 MOSFET 驱动器

TPS2811双通道高速MOSFET驱动器可以或许或许为高容性负载供给2 A的峰值电流。这种机能是颠末过程一种计划实现的,该计划自己可以或许或许最大限度地削减直通电流,而且比竞争产品消耗的电源电流低一个数目级。 TPS2811驱动器包含一个稳压器,允许在14 V和14 V之间的电源输入工作。 40 V.稳压器输入可以或许或许为其余电路供电,条件是功耗不超过封装限制。当不必要稳压器时,REG_IN和REG_OUT可以或许或许对峙断开状况,或许两者都可以或许或许衔接到V CC 或GND。 TPS2811驱动器采纳8引脚TSSOP封装并在-40°C至125°C的环境温度规模内工作。 特性 相符汽车应釉墼勖请求 行业模范驱动程序更换 25-ns Max Rise /下降光阴和40-ns Max 流传延迟,1-nF负载,V CC = 14 V 2-A峰值输入电流,V CC < /sub> = 14 V 输入电压高或低的5μA电源电流 4 V至14 V电源电压规模;内部调节器将规模扩大至40 V -40°C至125°C环境温度工作规模 参数 与其它产品相比?低侧驱动器 ? Number of Channels (#) Power Switch Peak Output Current (A) Input VCC (Min) (V) Input VCC (Max) (V) Rise Tim...
发表于>2019-05-13 11:19 ? 25次 阅读
TPS2811-Q1 具有内部稳压器的汽车类反向双路高速 MOSFET 驱动器

UCC27511 4A/8A 单通道高速低侧闸极驱动器

UCC27511和UCC27512单通道高速低侧栅极驱动器件可有釉墼勖驱动金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)和绝缘栅双极型晶体管(IGBT)电源开关.UCC27511和UCC27512采纳的计划计划可最大程度削减击穿电流,从而为电容负载供给较高的峰值拉/灌电流脉冲,同时供给轨到轨驱动能力和超短的流传延迟(典型值为13ns)。 UCC27511特有双输入计划,同一器件可机动实现反相(IN-引脚)和非反相(IN +引脚)设置设备摆设.IN +引脚和IN-引脚均可用于节制驱动器输入的状况。未应用的输入引脚可用于启用和禁用功效。出于平安考虑,输入引脚上的内部上拉和下拉电阻器在输入引脚处于悬空状况时,确保 UCC27 511器件的输入引脚阈值基于与TTL和COMS兼容的低电压逻辑电路,此逻辑电路是固定的且与V DD 电源电压无关。高低阈值间的宽滞后供给了精彩的抗扰度。 UCC27511和UCC27512供给4A拉电流,8A灌电流(非对称驱动)峰值驱动电流能力。非对称驱动中的微弱灌电流能力晋升了抗寄生,米勒接通效应的能力.UCC27511器件还具有一个独特的分离输入设置设备摆设,此中的栅极驱动电流颠末过程OUTH引脚拉出,颠末过程OUTL引脚灌入。这种独特的引脚排列使...
发表于>2019-05-13 11:19 ? 43次 阅读
UCC27511 4A/8A 单通道高速低侧闸极驱动器

UCC27517 4A/4A 单通道高速低侧闸极驱动器

UCC27516和UCC27517单通道高速低侧栅极驱动器器件可有釉墼勖驱动金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)和绝缘栅双极型晶体管(IGBT)电源开关.UCC27516和UCC27517采纳的计划计划可最大程度削减击穿电流,从而为电容负载供给较高的峰值拉/灌电流脉冲,同时供给轨到轨驱动能力和超短的流传延迟(以后VDD = 12V时,UCC27516和UCC27517可供给峰值为4A的灌/拉(对称驱动)电流驱动能力。 UCC27516和UCC27517具有4.5V至18V的宽VDD规模,和-40°C至140°C的宽温度规模.VDD引脚上的内部欠压闭锁(UVLO)电路可以或许或许超出VDD运行规模时使输入对峙低电平。此器件可以或许或许在低电压(例如低于5V)下运行,而且拥有同类产品中较好的开关特性,因此非常适用于驱动诸如GaN功率半导体器件等新上市的宽带隙电源开关器件。 UCC27516和UCC27517特有双输入计划,同一器件可机动实现反相(IN-引脚)和非反相(IN +引脚)设置设备摆设.IN +引脚和IN-引脚中的任何一个都可用于节制此驱动器输入的状况。未应用的输入引脚可被用于启用和禁用功效。出于平安考虑,输入引脚上的内部上拉和下拉电阻器在输入引脚处于悬空状况时,确保...
发表于>2019-05-13 11:19 ? 91次 阅读
UCC27517 4A/4A 单通道高速低侧闸极驱动器

UCC27200-Q1 汽车类 120V 升压 3A 峰值电流的高频高端/低端驱动器

UCC2720x-Q1系列高频N沟道MOSFET驱动器包含一个120V自举二极管和自力的高侧和低侧驱动器输入以实现最大的节制机动这允许在半桥,全桥,双开关正向和有源钳位正激转换器中停止N沟道MOSFET节制。低侧和高侧栅极驱动器可自力节制,并在互相之间的开启和关断之间匹配1 ns。 片内自举二极管消除了内部分立二极管。为高侧驱动器和低侧驱动器供给欠压锁定,如果驱动器电压低于指定阈值,则强制输入为低电平。 供给两种版本的UCC2720x-Q1 - UCC27200-Q1具有高噪声免疫CMOS输入阈值,UCC27201-Q1具有TTL兼容阈值。 两款器件均采纳8引脚SO PowerPAD(DDA)封装。对付统统可用封装,请参见数据手册末尾的可订购附录。 特性 相符汽车应釉墼勖请求 AEC-Q100相符如下结果: 设备温度品级1: -40°C至125°C环境工作温度规模 器件HBM ESD分类品级2 器件CDM ESD分类品级C5 驱动两个高侧和低侧设置设备摆设的N沟道MOSFET 最大启动电压:120 V 最大V DD < /sub>电压:20 V 片内0.65 V VF,0.6ΩRD自举二极管 大于1 MHz的工作 20- ns流传延迟光阴 3-A漏极,3A源输入电流 8-ns上升和...
发表于>2019-05-13 11:19 ? 75次 阅读
UCC27200-Q1 汽车类 120V 升压 3A 峰值电流的高频高端/低端驱动器

UCC27538 栅极驱动器

UCC2753x单通道高速栅极驱动器可有用地驱动MOSFET和IGBT电源开关.UCC2753x器件采纳一种颠末过程不对称驱动(分离输入)供给高达2.5A和5A灌电流的计划,同时结合了支撑负断偏置电压,轨道轨道驱动功效,极小流传延迟(通常为17ns)的功效,是MOSFET和IGBT电源开关的抱负解决计划.UCC2753x系列器件也可支撑使能,双输入和反相和同相输入功效。隔离输入与壮大的不对称驱动提高了器件对寄生米勒效应的抗扰性,并有助于削减地的抖动。 输入引脚对峙断开状况将使驱动器输入对峙低电平。驱动器的逻辑行为显示在应用图,时序图和输入与输入逻辑真值表中。 VDD引脚上的内部电路供给一个欠压锁定功效,此功效在VDD电源电压处于工作规模内之前应用输入对峙低电平。 特性 低本钱栅极驱动器(为FET和IGBT的驱动供给最佳解决计划) 分立式晶体管(1800pF负载时的典型值分离为15ns和7ns) 欠压锁定(UVLO) 被用作高侧或低侧驱动器(如果采纳适当的偏)置和信号隔离计划) 低本钱,节省空间的5引脚或6引脚DBV(SOT-23)封装选项 UCC27536和UCC27537与TPS2828和TPS2829之间引脚对引脚兼容 工作温度规模:...
发表于>2019-05-13 11:19 ? 28次 阅读
UCC27538 栅极驱动器

UCC27517A-Q1 具有 5V 负输入电压处理能力的 4A/4A 单通道高速低侧栅极驱动器

UCC27517A-Q1单通道高速低侧栅极驱动器件有用地驱动金属氧化物半导体场效应应晶体管(MOSFET)和绝缘栅双极型晶体管UCC27517A-Q1可以或许或许灌,拉高峰值电流脉冲进入到电容负载值为13ns)。 UCC27517A-Q1器件在输入上处理-5V电压。 当V DD = 12V时,UCC27517A-Q1可供给峰值为4A的灌/拉(对称驱动)电流驱动能力。 UCC27517A-Q1在4.5V至18V的宽V DD 规模和-40°C至140° C的宽温度规模内运行.V DD 引脚上的内部欠压锁定(UVLO)电路可在V DD 超出运行规模时使输入对峙低电平。此器件可以或许或许在低电压(例如低于5V)下运行,而且拥有同类产品中最佳的开关特性,因此非常适用于驱动诸的GaN功率半导体器件等新上市的宽带隙电源开关器件。 特性 相符汽车应釉墼勖请求 具有相符AEC-Q100模范的下列结果: 相符汽车应釉墼勖请求的器件温度1级:-40°C至125°C的环境运行温度规模 器件人体放电情势(HBM)静电放电(ESD)分类品级2 器件组件充电情势(CDM)ESD分类品级C6 低本钱栅极驱动器件供给NPN和PNP离散解决计划的高品格替代产品 4A峰值拉电流和灌电流对称驱动 可以或许或许输入上处理负...
发表于>2019-05-13 11:19 ? 12次 阅读
UCC27517A-Q1 具有 5V 负输入电压处理能力的 4A/4A 单通道高速低侧栅极驱动器

UCC27211 120V 升压 4A 峰值电流的高频高侧/低侧驱动器

UCC27210和UCC27211驱动器是基于广受迎接的UCC27200和UCC27201 MOSFET驱动器,但机能取得了显着晋升。峰值输入上拉和下拉电流已经被提高至4A拉电流和4A灌电流,而且上拉和下拉电阻已经被减小至0.9Ω,因此可以或许或许在MOSFET的米勒效应平台转换期间用尽量小的开关损耗来驱动大功率MOSFET。如今,输入布局可以或许或许间接处理-10 VDC,这提高了持重耐用性,而且无需应用整流二极管即可实现与栅极驱动变压器的间接对接。这些输入与电源电压无关,而且具有20V的最大额定值。 UCC2721x的开关节点(HS引脚)最高可处理-18V电压,从而掩护高侧通道不受寄生电感和杂散电容所固有的负电压影响.UCC27210(a CMOS输入)和UCC27211( TTL输入)已经增长了滞后特性,从而使获得模拟或数字脉宽调制(PWM)节制器接口的抗扰度取得了增强。 低侧和高侧栅极驱动器是自力节制的,并在彼此的接通和关断之间实现为了2ns的延迟匹配。 因为在芯片上集成为了一个额定电压为120V的自举二极管,因此无需采纳内部分立式二极管。高侧和低侧驱动器均配有欠压锁定功效,可供给对称的导通和关断行为,而且可以或许或许在驱动电压低于指定阈值时将输入强制为低...
发表于>2019-05-13 11:19 ? 97次 阅读
UCC27211 120V 升压 4A 峰值电流的高频高侧/低侧驱动器

UCC27710 具有互锁功效的 620V 0.5A、1.0A 高侧低侧栅极驱动器

UCC27710是一款620V高侧和低侧栅极驱动器,具有0.5A拉电流,1.0A灌电流能力,公用于驱动功率MOSFET或IGBT。 对付IGBT,建议的VDD工作电压为10V至20V,对付MOSFET,建议的VDD工作电压为17V。 UCC27710包含掩护特性,在此环境下,当输入对峙开路状况时,或当未称心最低输入脉宽尺度时,输入对峙低位。互锁和死区光阴功效可防止两个输入同时打开。别的,该器件可接受的偏置电源规模宽幅达10V至20V,而且为VDD和HB偏置电源供给了UVLO掩护。 该器件采纳TI先辈的高压器件技术,具有壮大的驱动器,拥有精彩的噪声和瞬态抗扰度,包含较大的输入负电压容差,高dV /dt容差,开关节点上较宽的负瞬态平安工作区(NTSOA),和互锁。 该器件包含一个接地基准通道(LO)和一个悬空通道(HO),后者公用于自电源或隔离式电源操纵。该器件具有疾速流传延迟特性并可在两个通道之间实现精彩的延迟匹配。在UCC27710上,每个通道均由其各自的输入引脚HI和LI节制。 特性 高侧和低侧设置设备摆设 双输入,带输入互锁和150ns死区光阴 在高达620V的电压下完全可正常工作,HB引脚上的相对最高电压为700V VDD建...
发表于>2019-05-13 11:19 ? 137次 阅读
UCC27710 具有互锁功效的 620V 0.5A、1.0A 高侧低侧栅极驱动器

UCC27533 栅极驱动器

UCC2753x单通道高速栅极驱动器可有用地驱动MOSFET和IGBT电源开关.UCC2753x器件采纳一种颠末过程不对称驱动(分离输入)供给高达2.5A和5A灌电流的计划,同时结合了支撑负断偏置电压,轨道轨道驱动功效,极小流传延迟(通常为17ns)的功效,是MOSFET和IGBT电源开关的抱负解决计划.UCC2753x系列器件也可支撑使能,双输入和反相和同相输入功效。隔离输入与壮大的不对称驱动提高了器件对寄生米勒效应的抗扰性,并有助于削减地的抖动。 输入引脚对峙断开状况将使驱动器输入对峙低电平。驱动器的逻辑行为显示在应用图,时序图和输入与输入逻辑真值表中。 VDD引脚上的内部电路供给一个欠压锁定功效,此功效在VDD电源电压处于工作规模内之前应用输入对峙低电平。 特性 低本钱栅极驱动器(为FET和IGBT的驱动供给最佳解决计划) 分立式晶体管(1800pF负载时的典型值分离为15ns和7ns) 欠压锁定(UVLO) 被用作高侧或低侧驱动器(如果采纳适当的偏)置和信号隔离计划) 低本钱,节省空间的5引脚或6引脚DBV(SOT-23)封装选项 UCC27536和UCC27537与TPS2828和TPS2829之间引脚对引脚兼容 工作温度规模:...
发表于>2019-05-13 11:19 ? 123次 阅读
UCC27533 栅极驱动器

UCC27531 2.5A、5A、40VMAX VDD FET 和 IGBT 单门驱动器

UCC2753x单通道高速栅极驱动器可有用地驱动MOSFET和IGBT电源开关.UCC2753x器件采纳一种颠末过程不对称驱动(分离输入)供给高达2.5A和5A灌电流的计划,同时结合了支撑负断偏置电压,轨道轨道驱动功效,极小流传延迟(通常为17ns)的功效,是MOSFET和IGBT电源开关的抱负解决计划.UCC2753x系列器件也可支撑使能,双输入和反相和同相输入功效。隔离输入与壮大的不对称驱动提高了器件对寄生米勒效应的抗扰性,并有助于削减地的抖动。 输入引脚对峙断开状况将使驱动器输入对峙低电平。驱动器的逻辑行为显示在应用图,时序图和输入与输入逻辑真值表中。 VDD引脚上的内部电路供给一个欠压锁定功效,此功效在VDD电源电压处于工作规模内之前应用输入对峙低电平。 特性 低本钱栅极驱动器(为FET和IGBT的驱动供给最佳解决计划) 分立式晶体管(1800pF负载时的典型值分离为15ns和7ns) 欠压锁定(UVLO) 被用作高侧或低侧驱动器(如果采纳适当的偏)置和信号隔离计划) 低本钱,节省空间的5引脚或6引脚DBV(SOT-23)封装选项 UCC27536和UCC27537与TPS2828和TPS2829之间引脚对引脚兼容 工作温度规模:...
发表于>2019-05-13 11:19 ? 54次 阅读
UCC27531 2.5A、5A、40VMAX VDD FET 和 IGBT 单门驱动器

TPS51604 用于高频 CPU 内核功率应用的同步降压·FET 驱动器

TPS51604驱动器针对高频CPU V CORE 应用停止了优化。具有低落死区光阴驱动和主动零交越等 SKIP 引脚供给CCM操纵选项,以支撑输入电压的受节制理。别的,TPS51604支撑两种低功耗情势。借助于脉宽调制(PWM)输入三态,静态电流被削减至130μA,并支撑立刻相应。当 SKIP 被对峙在三态时,电流被削减至8μA(规复切换通常必要20μs)。此驱动器与合适的德州仪器(TI)节制器配对应用,可以或许或许成为精彩的高机能电源体系。 TPS51604器件采纳节省空间的耐热增强型8引脚2mm x 2mm WSON封装,工作温度规模为-40°C至105°C。 特性 针对已优化连续传导情势(CCM)的精简死区光阴驱动电路 针对已优化断续传导情势(DCM)效力的主动零交叉检测 针对已优化轻负载效力的多个低功耗情势 为了实现高效运行的经优化信号门路延迟 针对超等本(超极本)FET的集成BST开关驱动强度 针对5V FET驱动而停止了优化 转换输入电压规模(V IN < /sub>):4.5V至28V 2mm×2mm 8引脚WSON散热垫封装 统统牌号均为其各自统统者的产业。 参数 与其它产品相比?半桥驱动器 ? Number of Channels (#) ...
发表于>2019-05-13 11:19 ? 93次 阅读
TPS51604 用于高频 CPU 内核功率应用的同步降压·FET 驱动器
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